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XC2164A51B 参数 Datasheet PDF下载

XC2164A51B图片预览
型号: XC2164A51B
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内容描述: CMOS低功耗 [CMOS Low Power Consumption]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 380 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XC2164
系列
ⅵELECTRICAL
特性(续)
XC2164A51T ,V / XC2164K51T ,V (基本)
工作电压为3.3V (除非另有说明,V
DD
= 3.3V ,无负载,TA = -30 〜 + 80 ℃ )
参数
工作电压
& QUOT ; H & QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;电平输入电压
& QUOT ; H & QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;电平输出电压
电源电流1
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
DD
1
条件
CMOS : 2.97V ,我
OH
=-8mA
CMOS : 2.97V ,我
OH
=8mA
/I
NH
= OPEN ,
Q
0
= OPEN ,
f=30MHz
XC2164A51T
XC2164A51V
XC2164K51T
XC2164K51V
XC2164A51T
/I
NH
= "L" ,
XC2164A51V
Q0=Open,
XC2164K51T
f=30MHz
XC2164K51V
/I
NH
= "L"
/I
NH
=0.7 V
DD
电源电流2
I
DD
2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D :待定
Rup1
Rup2
Rf
I
OZ
分钟。
2.50
2.4
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
35
-
典型值。
3.30
-
-
-
-
4
5
4
5
2
2
马克斯。
3.63
-
0.4
-
0.4
(6.5)
(8)
(6.5)
(8)
(4)
(4)
单位
V
V
V
V
V
mA
μA
mA
μA
( T.B.D. *)( T.B.D. *)
( T.B.D. *)( T.B.D. *)
2.0
4.0
70
140
7.0
-
-
10
/I
NH
= "L"
-
振荡频率随电源电压的比较图表,负电阻值
符号
M
V
T
振荡频率与电源电压
V
DD
=3.3V±10%
V
DD
=5.0V±10%
±
4.3ppm
±
4.5ppm
±
1.2ppm
±
2.1ppm
±
9.4ppm
±
7.0ppm
负电阻值
V
DD
=3.3V
V
DD
=5.0V
-130Ω
-220Ω
-150Ω
-250Ω
-660Ω
-760Ω
(当30MHz的晶体中所用的设计值)。
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