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    IPB60R080P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
    栅栅极
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    FQA140N10

     功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100V，140A，10mΩ，TO-3P
    局域网PC开关脉冲晶体管
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    FDS8884

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，8.5A，23mΩ
    PC开关脉冲光电二极管晶体管
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    GRM1882C1H5R5WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    V23990-P589-A418Y-PM

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
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