XC2151
系列
XC2151A510 / 519 （基础）
V
DD
= 5.0V ， FOSC = 20MHz时，无负载， TA = 25℃
参数
工作电源电压
输入电压“高”
输入电压“低”
输出电流“高”
输出电流“低”
电源电流1
电源电流2
输入上拉电阻
内部振荡器电容
内部振荡器反馈电阻
输出禁止泄漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
I
DD1
I
DD2
R
UP
CG ，镉
Rf
I
OZ
条件
民
4.0
2.4
V
OH
= 4.6V
V
OL
= 0.4V
/ INH = OPEN ，Q
0
=打开
/ INH = "L"
/ INH = 4.5V
参见下面的注释
- 10
16
2
50
16
5
10
12
5
200
典型值
最大
6.0
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
mA
µA
kΩ
pF
ΜΩ
µA
注：对于CG的值，镉与XC2151A510设计值。该XC2151A519是外部类型。
XC2151A580 / 589 （基本， F0 / 8 ）
V
DD
= 5.0V ， FOSC = 20MHz时，无负载， TA = 25℃
参数
工作电源电压
输入电压“高”
输入电压“低”
输出电流“高”
输出电流“低”
电源电流1
电源电流2
输入上拉电阻
内部振荡器电容
内部振荡器反馈电阻
输出禁止泄漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
I
DD1
I
DD2
R
UP
CG ，镉
Rf
I
OZ
条件
民
4.0
2.4
V
OH
= 4.6V
V
OL
= 0.4V
/ INH = OPEN ，Q
0
=打开
/ INH = "L"
/ INH = 4.5V
参见下面的注释
- 10
16
2
50
16
5
10
12
5
200
典型值
最大
6.0
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
mA
µA
kΩ
pF
ΜΩ
µA
注：对于CG的值，镉与XC2151A580设计值。该XC2151A589是外部类型。
XC2151A （基波）
产品型号
XC2151A510
XC2151A520
XC2151A540
XC2151A580
XC2151A519
XC2151A529
XC2151A549
XC2151A589
税级
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
CMOS （V
DD
/ 2） ，TTL
产量
10TTL
10TTL
10TTL
10TTL
10TTL
10TTL
10TTL
10TTL
分频比
f0 / 1
f0 / 2
f0 / 4
f0 / 8
f0 / 1
f0 / 2
f0 / 4
f0 / 8
RF （M
Ω)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
CG / CD （PF ）
16
16
16
16
16 （分机）
16 （分机）
16 （分机）
16 （分机）
推荐
频带
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
至30MHz
14
1028
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
