XB1085
系列
Typical
性能特性（续）
(7)
负载瞬态响应
XB1085P331
VIN=6.3V
VIN=6.3V
CIN = CL = 10μF （钽）
CIN=CL=10μF(Tantal)
XB1085K12B(VOUT=3.3V)
VIN=6.3V
VIN=6.3V
CIN=CL=10μF(Tantal)
CIN = CL = 10μF （钽）
OutputVoltage ： VOUT （ V）
12.0
10.5
9.0
7.5
6.0
4.5
3.0
1.5
0.0
-1.5
输出电压： VOUT （V ）
输出电流IOUT （A）
输出电流IOUT （A）
输出电流IOUT （A
)
VOUT
4.0
3.0
3A
2.0
1.0
0.0
IOUT
0.1A
12.0
10.5
9.0
7.5
6.0
4.5
3.0
1.5
0.0
-1.5
VOUT
4.0
3.0
3A
2.0
1.0
0.0
IOUT
Time（100μs/DIV）
0.1A
Time（100μs/DIV）
(8)
输入瞬态响应
XB1085P331
IOUT=200mA
IOUT=200mA
XB1085K12B(VOUT=3.3V)
IOUT=200mA
CIN=1μF(Tantal),CL=10μF(Tantal)
IOUT=200mA
11
电源电压： VIN （V ）
10
9
8
7
6
5
CIN = 1μF （钽） ， CL = 10μF （钽）
CIN=1μF(Tantal),CL=10μF(Tantal)
CIN = 1μF （钽） ， CL = 10μF （钽）
3.32
输出电压： VOUT （V ）
11
电源电压： VIN （V ）
10
9
8
7
6
5
Time（200μs/DIV）
VIN
5.3V
7.3V
VOUT
3.36
输出电压： VOUT （V ）
VOUT
3.30
3.28
7.3V
5.3V
3.26
3.24
3.34
3.32
3.30
3.28
3.26
3.24
VIN
Time（200μs/DIV）
3.22
3.20
(9)
纹波抑制率
XB1085P331
VIN=6.3VDC+1.0Vp-pAC
VIN =幼滑+幅度1.0Vp -PAC
XB1085K12B(VOUT=3.3V)
纹波抑制率： PSRR （分贝）
ripple rejection rate（�½�B)
VIN=6.3VDC+1.0Vp-pAC
VIN =幼滑+幅度1.0Vp -PAC
IOUT=1A、Ta=25℃、CL=25uF(Tantal)
IOUT = 1A ， TA = 25 ℃ ， CL = 25μF （钽）
纹波抑制率： PSRR （分贝）
IOUT=1A、Ta=25℃、CL=25uF(Tantal)
IOUT = 1A ， TA = 25 ℃ ， CL = 25μF （钽）
ripple rejection rate（�½�B)
100
80
60
40
20
0
0.01
100
80
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
纹波抑制率（千赫）
纹波频率： F（千赫）
100
0.1
1
1
10
10
0.1
纹波抑制
F（千赫）
率（千赫）
纹波频率：
100
8/11
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
