XP132A1275SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V ， Vdd的≒ -10V ， PW = 10微秒，占空比≦ 1 ％以下，Ta = 25 ℃
电容：C （PF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
开关时间： T（ NS ）
tf
100
TD （关闭）
tr
100
10
TD （上）
10
0
-5
-10
-15
-20
1
0
-2
-4
-6
-8
-10
漏源电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅源电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ，ID = -5A ， TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
-20
TA = 25 ℃时，脉冲测试
栅源电压：栅极电压（V ）
-8
反向漏电流： Im额定（A）
-16
-4.5V
-6
-12
-2.5V
-4
-8
-2
-4
Vgs=0V,4.5V
0
0
10
20
30
40
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
11
10
第r （ CH-A ）= 50 ℃ / W （已实现在玻璃环氧印刷电路板）
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （秒）
738
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
