XA6105
シリーズ
■½用方法
1．本 IC
のご½用の際には絶対最大定格内でご½用下さい。絶対最大定格値を超えて½用した場合、劣化または破壊する可½性
があります。
2．電源と V
IN
端子との間に抵抗を付加した場合、IC 動½時の貫通電流によって
V
IN
端子の電圧が降下し誤動½の原因となる可
½性がありますのでご注意下さい。また
CMOS
出力品の場合、出力電流によっても
V
IN
端子の電圧が降下し誤動½の原因と
なる可½性がありますのでご注意下さい。
3．IC
の安定動½のため
V
IN
端子入力波½の立ち上がり及び立ち下り時間は、数μs/V 程度以上でご½用下さい。
4．電源ノイズはウォッチドッグ動½の誤動½の原因となることがありますので、V
IN
-GND
間にコンデンサ(0.22μＦ程度)を挿入
することをお勧めします。
5．ウォッチドッグタイムアウト時間中に誤動½防止のため立ち上がり又は立ち下り信号に対する不感応時間が存在します。不感
応時間は最大で
900μs
となっています。
（図参照）
6．CPU
へのデータ書き込み時などウッチドッグ端子にエッジ入力が無い場合、スリーステートデバイスを½用してウォッチド
ッグ端子をオープン状態（ハイインピーダンス）にすることによりウォッチドッグ機½を
OFF
させることが可½です。
P.4
のブロック図の様に
WD
端子は内部カウンターのバッファ（LOGIC 部）と
WD
入力抵抗（R
WD
）を直列に介して内部で駆
動しており、ウォッチドッグ入力電流を最小にするため
R
WD
=880kΩ(MAX)となっています。
スリーステートデバイスがハイインピーダンスの際は
“スリーステートデバイスのリーク電流×R
WD
”
の電圧降下となります。
その際に
WD H
レベル/L レベル電圧に達するようにリーク電流の少ないスリーステートデバイスをお½い下さい。
V
IN
Pin Wave Form
T
WD
T
WD
GND
WD Pin Wave Form
GND
No reaction time
(MAX 900usec)
No reaction time
(MAX 900usec)
RESETB Pin Wave Form(V
DFL
)
T
DR
T
DR
GND
図．不感応時間例
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TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
