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型号: MMBTA42LT1
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内容描述: NPN EPITACIAL平面晶体管 [NPN EPITACIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 29 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
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TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
MMBTA42LT1
NPN EPITACIAL平面晶体管
描述
高压晶体管
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................... -55〜 + 150°C
结温................................................ ..................................... + 150 ° C最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 250毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 300 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 300 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 6.0 V
IC集电极电流........................................................................................................ 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
分钟。
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
典型值。
-
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-
-
-
-
-
马克斯。
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100
100
500
900
-
-
-
-
3
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=6V
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 1mA时, VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 10V
IC = 30mA时VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 20V , F = 100MHz的
VCB = 20V , F = 1MHz的
兆赫
pF
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。