MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。

MMBT5551LT1

NPN外延平面晶体管

描述

该

MMBT5551LT1

是专为一般用途的应用

要求较高的击穿电压。

绝对最大额定值

•

最高温度

存储Temperature..................................................................................................-55+150°C

结温............... ................................. ........................... .......... + 150 ° C最大

•

最大功率耗散

总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 250毫瓦

•

最大电压和电流（ TA = 25 ° C）

VCBO集电极 - 基极电压。 .................................................. ..................................... 180 V

VCEO集电极到发射极电压。 .................................................. .................................. 160 V

VEBO发射器基极电压............................................. .................................................. 6 V

IC集电极电流............................................... ......................... ......................... ........ 600毫安

特征

(Ta=25°C)

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

VCE(sat)1

VCE(sat)2

VBE(sat)1

VBE(sat)2

hFE1

hFE2

hFE3

fT

COB

分钟。

180

160

6

-

-

-

-

-

-

80

80

30

100

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

马克斯。

-

-

-

50

50

0.15

0.2

1

1

-

250

-

300

6

单位

V

V

V

nA

nA

V

V

V

V

测试条件

IC=100uA

IC=1.0mA

IE=10uA

VCB=120V

VEB=4V

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5毫安

IC = 10毫安， IB = 1毫安

IC = 50mA时IB = 5毫安

VCE = 5V ， IC = 1毫安

VCE = 5V ， IC = 10毫安

VCE = 5V ， IC = 50毫安

IC = 10毫安， VCE = 10V ， F = 100MHZ

VCB = 10V ， F = 1MHz的

兆赫

pF

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