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型号: 2SD560
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内容描述: NPN硅功率Ttransistors [NPN Silicon Power Ttransistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 71 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
   
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
产品speci fi cation
NPN硅功率Ttransistors
2SD560
描述
该2SD560是低频开发的模具功率晶体管
功率放大器和低速开关。此晶体管是
理想的用于从诸如脉冲装置的集成电路的输出直接驱动
电机驱动器和继电器驱动器,以及PC终端。
绝对最大额定值( TA = 25℃ )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
O
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
150
100
7.0
5.0
0.5
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
储存温度
TO-220
电气特性(TA = 25℃ )
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基本饱和电压
电流增益带宽积
符号
测试条件
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
EB
= 7.0V ,我
C
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 2.0V ,我
C
=3.0A
V
CE
= 2.0V ,我
C
=5.0A
分钟。
100
2000
500
4.0
典型值。
马克斯。
1.0
10
15000
1.5
2.0
V
V
兆赫
单位
uA
uA
V
O
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
I
C
=3.0A,I
B
=3.0mA
V
BE ( SAT )
I
C
=3.0A,I
B
=3.0mA
f
T
V
CE
=10V,I
C
=500mA
分类的hFE
分类
hFE1
R
2000~5000
O
3000~7000
Y
5000~15000