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     沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
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    10-EZ126PA025SC-L858F48T

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
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    RCJ451N20

     RCJ451N20是一款具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。是开关应用的理想选择。
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