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HGTG11N120CND

1200 V NPT IGBT
局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
0 ONSEMI

GRM219R71H113JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM3195C1J153JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

NGTB50N60L2WG

IGBT 600V 50A FS2 低饱和压
双极性晶体管
0 ONSEMI

R6524KNJ

R6524KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
开关
0 ROHM

BSS138K

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,0.22A,1.6Ω
开关光电二极管晶体管场效应晶体管
0 ONSEMI

GRM21BR61C334MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM43ER61H475MA88#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E300JB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM155Z71A225KE44#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

XDPS2201

XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器,它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET,例如CoolMOSTM,混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法,可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关,提高了效率。此外,变压器漏感能量被回收,更进一步提高效率。
变压器开关反激控制驱动控制器高压
0 INFINEON

GRM033R11C332MA88#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCG1550C1H2R7BA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM22M5C2H9R3DB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0222C1H6R3CA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA