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    IMW65R039M1H

     CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
    半导体
    0 INFINEON

    GCQ1555C1HR40CB01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    PMCM950ENE

     60 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GRM0332C1E6R1BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0224C1C1R4WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    GRM316B31A475KE18#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM1885G1H6R8CA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0335C1E4R5BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    DDB6U50N22W1RP_B11

     EasyBRIDGE 1 2200 V, 50 A Diode Bridge Module with 1700 V TRENCHSTOP™ IGBT4 Brake Chopper, PressFIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material. The DDB6U50N22W1RP_B11 extends the current easy drive rectifier diode portfolio up to 2.2 kV.
    双极性晶体管
    0 INFINEON

    GQM1555C2D7R8BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FGHL50T65SQ

     IGBT 650V FS4 高速版，适用于采用 TO-247 封装的 PFC 应用
    双极性晶体管功率因数校正
    0 ONSEMI

    GRM0225C1E121GA02#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM1553C1E2R3BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GCG1555G1H2R8DA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    FDZ375P

     P 沟道，1.5V 指定，PowerTrench® 薄款 WL-CSP MOSFET，-20V，-3.7A，78mΩ
    开关晶体管
    1 ONSEMI

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