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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FDMT80080DC

     N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，80V，254A，1.35mΩ
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    GCM188L81C124KA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    EDLC381420-501-2F-70

     双电层电容器(EDLC/超级电容器)
    电容器
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    STMFSC3D1N08M7

     MOSFET - PowerTrench®, N-Channel, Dual Cool®, Shielded Gate, 80 V, 110 A, 3.1 mΩ
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    BSZ065N06LS5

     英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
    开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
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