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IPB024N08N5

Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB024N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters. 
暂无信息
5 INFINEON

GRM1555C2A5R2CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCQ1555C1H7R3WB01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0332C1H7R1DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PESD5V0U5BV

Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrayProduction
局域网光电二极管
0 NEXPERIA

IMBF170R450M1

CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
暂无信息
0 INFINEON

GQM1555G2D1R0CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET,漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计,实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET,需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度,本产品拥有独立的基准输入引脚(VDDQ)和独立的反馈引脚(VTTS),实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
0 ROHM

GRM31MB11C155MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1552C1E9R2BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM219R71C274KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM21BR61C334MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PSMN013-100PS

N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET in TO220.Production
局域网开关脉冲晶体管
0 NEXPERIA

GRM033R61C123ME84#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FMS6404CSX

带声频陷波器和群延迟补偿的精密复合视频输出
放大器光电二极管商用集成电路
0 ONSEMI