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FQAF11N90C

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,7 A,1.1 Ω,TO-3PF
局域网开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

BSC077N12NS3 G

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性,帮助实现优化解决方案。
开关
0 INFINEON

GRM0225C1H9R7CA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM219R11C684KC01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195C2E1R7CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1H2R6CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195C2E6R5DB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FBA42060

用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 45 系列
功率因数校正
0 ONSEMI

GCG1555C1H5R9DA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

IRF7815

150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
暂无信息
0 INFINEON

BSZ070N08LS5

英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低,降低开关损耗,而不影响导通损耗。改进品质因数,支持在高开关频率下运行。此外,逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th)),使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
开关无线驱动控制器电信微控制器栅极
0 INFINEON

GRM1552C1E9R2BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT1885C1H300JA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM0335C2D1R4BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM32MB11H104KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA