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PSMN6R8-40HS

N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduction
暂无信息
1 NEXPERIA

PBHV8540T

500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat transistorProduction
开关光电二极管晶体管
0 NEXPERIA

GRM31CB30J156KE18#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM155L81E682KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPB024N08N5

Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB024N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters. 
暂无信息
5 INFINEON

10-PY126TA075SH-L829F68Y

Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
暂无信息
0 VINCOTECH

IPB65R155CFD7

英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。
电站服务器电信栅极
0 INFINEON

MMSD485B

小信号二极管
信号二极管
0 ONSEMI

FDS6675

单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-11A,14mΩ
开关光电二极管晶体管
1 ONSEMI

GRM21BR71E224KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM1885C1H101JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM1555G2D9R1CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0225C1E5R3DA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1882C2A6R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

RFUH25TB3SNZ

RFUH25TB3SNZ是低反向恢复损耗、高电流耐量的快速恢复二极管。
快速恢复二极管
0 ROHM