THN5602F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN5602F
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅锗RF功率晶体管 [NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 281 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

THN5602F

NPN硅锗射频功率

晶体管

SOT-89

该THN5602F是一种成本低， NPN中功率

的SiGe HBT （异质结双极晶体管）

封装在一个塑料的SOT- 89 SMD封装。

一个输出设备，这取决于具体的APP-

lication 。

□

特点

Ø 4.8伏特操作

Ø P1dB为28 dBm的@ F = 465MHz

Ø功率增益为10 dB的F = 465MHz

引脚配置

单位：mm

□

应用

Ø手持式无线电设备的共同点

在450 MHz的射AB类操作

通信频段。

针无

符号

描述

BASE

集热器

辐射源

集热器

□

最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作温度Juction

TS = 60 ℃ ;注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

350

-65 ~ 150

150

单位

℃

www.tachyonics.co.kr

-1/6-

Sep-2003

版本1.1

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案