TBN6301S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TBN6301S
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内容描述：	NPN硅晶体管RF [NPN SILICON RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 224 K
品牌：	TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]

Preliminary Specification

TBN6301 series

Maximum Available Gain

vs. Collector Current

Insertion Power Gain

vs. Collector Current

V_CE= 3 V

V_CE= 5 V

V_CE= 7 V

V_CE= 3 V

V_CE= 5 V

V_CE= 7 V

f = 1 GHz

100

Collector Current, I_C(mA)

http://www.tachyonics.co.kr

March. 2005.

Rev. 1.0

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