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TBN6301KF 参数 Datasheet PDF下载

TBN6301KF图片预览
型号: TBN6301KF
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内容描述: NPN硅晶体管RF [NPN SILICON RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 224 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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Preliminary Specification  
TBN6301 series  
Typical Characteristics ( TA = 25 , unless otherwise specified)  
Power Dissipation  
vs. Ambient Temperature  
Reverse Transfer Capacitance  
vs. Collector to Base Voltage  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
200  
150  
100  
50  
f = 1 MHz  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
1
2
3
4
5
6
7
Ambient Temperature, TA (oC)  
Collector to Base Voltage, VCB (V)  
DC Current Gain  
Collector Current  
vs. Collector Current  
vs. Base to Emitter Voltage  
400  
30  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
25  
20  
15  
10  
5
0
0
0.1  
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0  
1
10  
100  
Base to Emitter Voltage, VBE (V)  
Collector Current, IC (mA)  
http://www.tachyonics.co.kr  
Rev. 1.0  
Dec. 2005.  
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