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FDMF6823A

超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块
服务器主板节能技术驱动接口集成电路驱动器
1 ONSEMI

GRT188R60E226ME13#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT1885C1H271JA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDY4000CZ

互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V
PC开关光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GRM31MR61E106MA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM219R61E474KC36#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1882C2A9R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

FDMS86201

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V,49A,11.5mΩ
PC开关脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

FDD86252

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,27 A,52 mΩ
开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

PBSS4630PA

30 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction
开关光电二极管晶体管
0 NEXPERIA

IMW65R039M1H

CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。
半导体
0 INFINEON

GQM22M5C2H340GB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM21BC71C106KE36#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0225C1C7R3BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1882C2A5R2DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA