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ESDM1131MX4T5G

微型封装二极管,用于 ESD 防护
二极管
0 ONSEMI

NCP45495XMNTWG

4-Channel Voltage Bus and 4-Channel High-Side Current Shunt Monitor, 26 V
暂无信息
0 ONSEMI

GCM31A5C3A180JX01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM219B11C823JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

TLE9842QX

TLE9842QX can be used for the most cost-effective solution for motor control using relays
暂无信息
1 INFINEON

GJM0335C1H1R5CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0222C1E101JA02#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

RCJ451N20

RCJ451N20是一款具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。是开关应用的理想选择。
开关
0 ROHM

NSR201MXT5G

用于混音器和检测器的肖特基势垒二极管
二极管
0 ONSEMI

GRM0115C1C910GE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

RFD16N05LSM9A

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V,16A,47mΩ
开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

FDS6673BZ

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,14.5A,7.8mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
0 INFINEON

GCM155R71H562KA55#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDBL0110N60

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ
开关晶体管
0 ONSEMI