AN1262应用说明
表5. Cin的值1W的输入功率
110 V
AC
或WRM
N
H
=0
2.0 μF / W
V
INMIN
= 90V
V
DC最小值
= 105V
N
H
=1
7.2 μF / W
V
INMIN
= 90V
V
DC最小值
= 116V
3.0 μF / W
V
INMIN
= 100V
V
DC最小值
= 110V
10.4 μF / W
V
INMIN
= 100V
V
DC最小值
= 117V
0.55 μF / W
V
INMIN
= 180V
V
DC最小值
= 210V
1.8 μF / W
V
INMIN
= 180V
V
DC最小值
= 236V
220 V
AC
0.8 μF / W
V
INMIN
= 200V
V
DC最小值
=220V
2.8 μF / W
V
INMIN
= 200V
V
DC最小值
=239V
V的实际值
INMIN
和V
DC最小值
需要与实际的电容值被重新计算。由于评价
V的
INMIN
包括没有封闭形式解一个方程，迭代周期需要建立：
V
INMIN
-
ARCCOS
------------------
V
PKmin
P
in
1 + 2
⋅
N
H
2
V
PKmin
–
-------
⋅
------------------------
–
2
⋅
T
c
;
T
c
= ---------------------------------------------
-
-
f
L
C
in
2
⋅ π ⋅
f
L
V
INMIN
=
(1)
其中T
C
是C的充电时间
in
即桥二极管被导通，而时间，它可以是
最初假设等于零。几次迭代两个V后
INMIN
和T
C
将收敛至各自的值。
如果是滞留的要求循环应执行两次。第一次用N
H
= 1找到V
INMIN
后
1干线循环缺失（其将被用于检查最大占空比和最大峰值电流）的
第二个有N
H
= 0到求V
INMIN
在正常操作（用于稳态和热计算） 。
V
DC最小值
将V的简单平均
INMIN
（计算有N
H
= 0反正）和V
PKmin
:
1
V
DC最小值
= --
⋅ (
V
PK分钟
+
V
INMIN
)
-
2
(2)
C的额定电压
in
根据V选择
pkmax
：它通常是200伏为110伏
AC
应用程序和400V
220 V
AC
或WRM应用。
7
初步计算（步骤2 ）
下一个步骤是检查不超过由IC施加的限制。在此之前，所述电源处理由
变压器（P
INT
）和内部MOSFET的导通电阻上的平均电压降
(V
DS （ ON） X
）将被计算。 V
DS （ ON） X
减去至V
INMIN
将得到的值是实际施加的电压
到初级绕组的变压器。第r
DS （ ON）
使用必须考虑温度的考虑。使用MAX-
imum值定义为125°C 。
被检查的第一个限制是最大负载比D
X
。如果超过62-64 ％ ，无论是反射电压V
R
应降低或最小输入DC电压V
INMIN
应增加，通过选择较大的输入钙
pacitance 。
要检查的第二个极限是在MOSFET的截止状态的最大漏极电压。至少
50V余量应得到保障。该过电压尖峰可以降低，以允许并在必要多反射电压
萨利，牢记它不能比V低得多
R
不伤初级到次级能量转移。
最后一次检查是关于初级峰值电流不得超过最低保证OCP门槛
（ 0.55A ） 。如果超过这个值，较高的最大占空比D
X
应该使用，如果可能的话。也提出了更高V
INMIN
是有益的。一些迭代，涉及前两个点的复检，可能需要找到最佳的
妥协。如果没有解决方案，可以发现，无论是CCM操作应考虑或电源被处理
变频器应降额使用。
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