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18NM60N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 18NM60N
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内容描述: N沟道600 V , 0.260 Ω , 6的PowerFLAT ?的8x8 HV的MDmesh ?二功率MOSFET [N-channel 600 V, 0.260 Ω, 6 A PowerFLAT? 8x8 HV MDmesh? II Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 606 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STL18NM60N
N沟道600 V , 0.260
Ω
6一个PowerFLAT ™ 8x8的HV
,
的MDmesh II ™功率MOSFET
特点
订货编号
STL18NM60N
V
DSS
@
T
JMAX
650 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.310
Ω
I
D
12 A
(1)
1.值根据R级
THJ情况
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这个设备是一个N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh ™技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局,产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此,适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
18NM60N
PowerFLAT ™的8x8 HV
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL18NM60N
2011年11月
文档ID 018856第2版
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