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13NM60N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 13NM60N
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内容描述: N沟道600 V , 0.320 Ω , 10 A PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV的MDmesh ?二功率MOSFET [N-channel 600 V, 0.320 Ω, 10 A PowerFLAT? (8x8) HV MDmesh? II Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 831 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STL13NM60N
N沟道600 V , 0.320
Ω,
10 A PowerFLAT ™ ( 8×8 ) HV
的MDmesh II ™功率MOSFET
特点
订货编号
STL13NM60N
V
DSS
@
T
JMAX
650 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.385
Ω
I
D
10 A
(1)
1.值根据R级
THJ情况
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
应用
切换应用程序
描述
此设备是一个N沟道功率MOSFET
使用该第二代的MDmesh ™制成
技术。这一革命性的晶体管
关联一个新的垂直结构向
公司的带布局,产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此,适用于最苛刻的高
效率的转换器。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
13NM60N
PowerFLAT ™ ( 8×8 ) HV
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL13NM60N
2011年5月
文档编号018870版本1
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