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    ST2315SRG 参数 Datasheet PDF下载

    ST2315SRG图片预览
    型号： ST2315SRG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ST2315SRG是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [ST2315SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 218 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号ST2315SRG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ST2315SRG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ST2315SRG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ST2315SRG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ST2315SRG的Datasheet PDF文件第6页  
    ST2315SRG
    P沟道增强型MOSFET
    -4.0A
    描述
    ST2315SRG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
    过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
    特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
    计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
    需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    引脚配置
    SOT-23
    特征
    -20V / -4.0A ，R
    DS （ ON）
    = 40米欧姆（典型值）。
    @VGS = -4.5V
    -20V / -3.0A ，R
    DS （ ON）
    = 60米欧姆
    @VGS = -2.5V
    -20V / -2.0A ， RDS （ ON ） = 90米欧
    @VGS=-1.8V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOT- 23封装设计
    3
    D
    G
    1
    1.Gate
    2.Source
    S
    2
    3.Drain
    最热
    SOT-23
    3
    05YA
    1
    Y：年份代码
    2
    答：处理代码
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ST2315SRG 2010 V1

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