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FT0055A 参数 Datasheet PDF下载

FT0055A图片预览
型号: FT0055A
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内容描述: 耐辐射30安培, 100伏特, 25英里©额定雪崩N-MOSFET [RADIATION TOLERANT 30 AMP, 100 Volts, 25 mΩ Avalanche Rated N-MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 160 K
品牌: SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
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固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFR130系列
耐辐射
30安培, 100伏特, 25毫欧
额定雪崩N-MOSFET
产品特点:
坚固的沟槽技术
最低导通电阻的行业: 20MΩ (典型值)
抗辐射:小于0.5V的典型门
阈移@ TID = 100kRAD
SEU和耐SEGR让38
额定雪崩
密封电源包装
低总栅极电荷,快速切换
替代IRF130类型
TX , TXV ,S级屏蔽可用
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFR130
J
__
筛选
2/
__ =不屏蔽
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
3/
J = TO- 257
无NIL = SMD.5
G = Cerpack
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压,连续
栅 - 源电压,瞬态
马克斯。连续漏电流
(包装有限公司)
马克斯。雪崩电流
马克斯。连续漏电流( TJ有限)
单脉冲雪崩能量
总功率耗散@ T
C
= 25ºC
工作&储存温度
最大热阻
(结点到外壳)
注意事项:
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μsec ,
占空比= 2 % 。
1 /有关订购信息,价格,
可用性 - 联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。
流动筛查可应要求提供。
3 /除非另有规定,所有的电
特性@ 25
o
C.
符号
V
DSS
V
GS
@ T
C
= 25ºC
@ T
C
= 100ºC
@ L = 5.0mH
@ TJ = 150°C
@ L = 5.0mH
TO-257
SMD.5 , Cerpack
TO-257
SMD.5 , Cerpack
TO- 257 (J )
价值
100
±20
±30
30
30
10
140
500
120
150
-55到+175
1.25
1.00
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
ºC
摄氏度/ W
I
D1
I
D2
I
AR
I
DM
E
AS
P
D
T
OP
&放大器;牛逼
英镑
R
0JC
SMD.5 (中五)
CerPack ( G)
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : FT0055A
DOC