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    NTC160N120SC1

     Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    NTHL022N120M3S

     Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     TDA21490 专为服务器、存储、人工智能(AI) 和网络应用中使用的高性能 xPU、ASIC和SOC提供强健可靠的电压调节器(VR) 而设计。TDA21490 采用高热效封装的 OptiMOSTM 功率 MOSFETs，具有同类产品中最佳的效率。低静态电流驱动器可以启用深度睡眠模式，进一步提高轻载效率，还可以提供精准的电流感测，有助于大幅提升系统性能。
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