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    RBR3L40CDD

     RBR3L40CDD是适用于一般整流用途，支持车载的高可靠性肖特基势垒二极管。
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FQP3P20

     功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-2.8 A，2.7 Ω，TO-220
    局域网PC开关脉冲晶体管
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     20 V, N-channel Trench MOSFETProduction
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    IKW30N65ET7

     TRENCHSTOP™ IGBT7
    双极性晶体管
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    FDMA1025P

     双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ
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    BM1Z001FJ

     本产品是检测交流电压过零时序的IC。无需以往用途中所需的光电耦合器和外接零部件，大幅度减少了部件个数，可实现小型、高可靠性的电源应用。而且，与以往的光电耦合器控制相比，有助于大幅度降低待机功耗。通过采用独有的系统，既适用于通常整流，也适用于二倍整流。
    光电
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    GRM0223C1C2R5WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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