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     沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
    栅栅极调节器
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    FDS6673BZ

     P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，14.5A，7.8mΩ
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