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      1. 安斯......
      2. 1206 47PF 1KV
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 60k
      7.  
      8. 昨天 20:56
      1. 安斯......
      2. 1206 10PF 1KV
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 60k
      7.  
      8. 昨天 20:56
      1. 深楠......
      2. MLF1608E100JT000
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 28k
      7.  
      8. 昨天 20:54
      1. 深圳......
      2. 1206-221K 100V
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 4K
      7.  
      8. 昨天 20:53
      1. 金华......
      2. 0402 200PF NPO
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 1盘
      7.  
      8. 昨天 20:52
      1. 静夜......
      2. SYM-001T-0.6
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 127.5k
      7.  
      8. 昨天 20:51
      1. 新麒......
      2. 0805 106K 25V
      3. 三星
      4.  
      5.  
      6. 360k
      7.  
      8. 昨天 20:51
      1. 新麒......
      2. 0603 475K 16V
      3. 三星
      4.  
      5.  
      6. 24k
      7.  
      8. 昨天 20:50
      1. 中山......
      2. SLPPB50BSO
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 5000
      7.  
      8. 昨天 20:50
      1. 维利......
      2. 0201 271J NPO
      3. 日系
      4.  
      5.  
      6.  
      7.  
      8. 昨天 20:49

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      GCM1885C1H9R3CA16#

      汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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      IPT019N08N5

      Infineon’s OptiMOS™ 5 80V n-channel power MOSFET IPT019N08N5 in TO-Leadless package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TO-Leadless (TOLL) is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
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