DG0R7V60
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
順
方向特性
順
電力損失曲線
せん頭サージ電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
1.2
20
sine wave
Tj = 150℃
〔
〔
1
1
15
Tl =150℃〔TYP〕
Tl =25℃〔TYP〕
0.8
0.1
10
0.6
0.4
0.2
0
sine wave
10ms 10ms
5
0.0.1
1cycle
non-repetitive
Tj=25℃
Pulse measurement
1.5
〔
〔
〔
〔
2
0.001
0
0
0.5
1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Number of Cycles
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブTa
ーIo
ディレーティングカーブTa
ーIo
ディレーティングカーブTl
ーIo
Derating Curve Ta
ーIo
Derating Curve Ta
ーIo
Derating Curve Tl
ーIo
1.2
1
1
sine wave
on glass-epoxy substrate
sine wave
sine wave
R - load
R - load
R - load
〔
〔
〔
〔
〔
〔
0.8
〔
〔
〔
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.8
Soldering land : 1.2 mm
conductor layer : 35μ
Pattern area : 32.6 mm2
0.6
0.4
0.2
0
0.6
0.4
0.2
0
on glass-epoxy substrate
Soldering land : 1.2 mm
conductor layer : 35μ
Pattern area : 160 mm2
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Lead Temperature T〔l ℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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(J 514-6)