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HEF4011BT

Quad 2-input NAND gateProduction
光电二极管逻辑集成电路
0 NEXPERIA

PMEG6030EP

60 V, 3 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
功效光电二极管
0 NEXPERIA

PMEG4010CEGW

40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

GCG155R71H391MA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

GCM188L81H682MA03#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

SGM6019

1.2A, 1.6MHz, High Efficiency Synchronous Step-Down Converter
暂无信息
0 SGMICRO

GJM1555C1H2R4DB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM155R70J473KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCQ1555C1H8R0DB01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0222C1C5R0BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPB65R155CFD7

英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。
电站服务器电信栅极
0 INFINEON

GRM21BB11E563MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

FQA28N15

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,150V,33A,90mΩ,TO-3P
局域网开关脉冲晶体管
1 ONSEMI

GRT0335C1E3R3CA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

GQM1555C2D1R6CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA