1N6263WS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N6263WS
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内容描述：	硅肖特基二极管 [SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用：	肖特基二极管
文件页数/大小：	3 页 / 223 K
品牌：	SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]

1N6263WS

硅肖特基二极管

对于一般用途的应用

钉扎

针

描述

阴极

阳极

顶视图

标识代码： "S2"

简体外形SOD- 323和符号

绝对最大额定值（T

= 25

参数

峰值反向电压

马克斯。单周期浪涌正向电流（ 10秒方波）

功耗

结温

存储温度范围

符号

RRM

FSM

合计

价值

400

单位

200

- 55至+ 200

有效的条件是引线直接在壳体被保持在环境温度。

特点在T

= 25

参数

反向击穿电压

在我

= 10

μA

正向电压

在我

= 1毫安

在我

= 15毫安

漏电流

在V

= 30 V

结电容

在V

= 0 V ， F = 1兆赫

反向恢复时间

在我

= I

= 5毫安，恢复到0.1 I

符号

（ BR ）R

合计

分钟。

马克斯。

0.39

0.9

200

2.2

单位

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 01/09/2006

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