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HSC106M 参数 Datasheet PDF下载

HSC106M图片预览
型号: HSC106M
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内容描述: [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 354 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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(Tc=25)  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V
AK=6V, RL=100, Tc=25℃  
Tc=-40℃  
200  
500  
IGT  
Gate Trigger Current(1)  
uA  
VAK=6V, RL=100, Tc=25℃  
Tc=-40℃  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
1.0  
VGT  
VGD  
Gate Trigger Voltage(1)  
V
V
Non Trigger Gate  
Voltage(1)  
V
AK=12V, RL=100, Tc=110℃  
0.2  
VAK=12V, Gate open, Tc=25℃  
Tc=-40℃  
IH  
Holding Current  
Latching Current  
0.4  
0.55  
3.0  
6.0  
mA  
mA  
V
V
AK=12V, IG=20mA, Tc=25℃  
Tc=-40℃  
5.0  
7.0  
IL  
AK=VDRM or VRRM, PKG=1000Ω  
Tc=25℃  
IDRM  
IRRM  
Repetitive or Reverse  
Peak Off-State Current  
10  
100  
uA  
V
Tc=110℃  
VTM  
Peak On-State Voltage(2)  
IFM=1.0A  
2.2  
(1)  
R
GK  
Current is not included in measurement  
(2) Pulse Test : Pulse width 2.0ms, Duty cycle 2%  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RTH(J-C)  
RTH(J-A)  
Parameter  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
Test Conditions  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Min  
Typ  
Max  
3.0  
Units  
℃/W  
℃/W  
75  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose 1/8”, from case  
for 10second  
TL  
260  
SEMIHOW REV.A0, December 2014