硅小信号
N沟道JFET
2N4393
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高速开关。
低导通电阻。
专为高可靠性和空间应用。
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
VDS
VGS
VGD
IG
PD
TJ
TSTG
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
门 - 漏极电压
栅电流
在总功率耗散
结温范围
存储温度范围
40V
-40V
-40V
50mA
300mW
2mW/°C
-55〜 + 175℃
-65到+ 200℃
TA = 25°C
减免上述25℃
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
V（ BR ） GSS
VGS （关闭）
IDSS
(1)
参数
栅 - 源
击穿电压
栅 - 源
截止电压
饱和
漏电流
门反向电流
测试条件
VDS = 0V
VDS = 20V
VDS = 20V
VDS = 0V
IG = 1.0μA
ID = 1.0nA
VGS = 0V
VGS = -20V
TA = 150℃
VDS = 20V
VGS = -5V
TA = 150℃
VGS = 0V
VGS = 0
ID = 3毫安
ID = 1.0毫安
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
单位
V
-0.5
5
-3
30
-100
-200
100
200
0.4
100
mA
pA
nA
pA
nA
V
IGSS
的ID （关闭）
VDS （上）
RDS （ ON）
排水截止电流
漏 - 源
ON电压
漏 - 源
抗性
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
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验证数据表是在下订单之前电流。
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问题2
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