硅RF小信号
NPN晶体管
2N2857C1
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高电流增益带宽积（ FT）
密封陶瓷表面贴装封装
专为高增益，低噪声放大器，
振荡器和混频器应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
TA = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
TC = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
30V
15V
3V
40mA
200mW
1.14mW/°C
300mW
1.72mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
875
583.3
单位
° C / W
° C / W
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文档编号7726
第1期
第1页4
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