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2SA1011P / 2SC2344P
三洋半导体
数据表
2SA1011P / 2SC2344P
特定网络阳离子
（）： 2SA1011P
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压开关，自动对焦功率放大器，
100W输出前置驱动器的应用
条件
评级
(-
-)180
(-
-)160
(-
-)6
(--)1.5
(-
-)3
30
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
基极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VBE
VCE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
条件
VCB = （ - ） 120V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)300mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
VCE = （ - ） 5A， IC = （ - ） 10毫安
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 1mA时， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 1mA时， IC = 0A
(--)180
(--)160
(--)6
60*
100
(30)23
(--)1.5
(-
-0.5)0.3
评级
民
典型值
最大
(--)10
(--)10
200*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
单位
µA
µA
接下页。
*
：本2SA1011P / 2SC2344P被300毫安的hFE如下分类：
秩
D
E
的hFE
60至120
100至200
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"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
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设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
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