订购数量： ENA0235
2SA2209
三洋半导体
数据表
PNP外延平面硅晶体管
2SA2209
应用
•
50V / 15A高速开关
应用
高速开关应用（开关稳压器，驱动电路） 。
特点
•
•
•
•
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
--50
--50
--6
--15
--20
--3
1
20
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
条件
VCB = -
-40V ， IE = 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-2V ， IC = - 330毫安
VCE = -
-2V ， IC = - 10A
VCE = -
-10V ， IC = - 700毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
200
50
120
140
兆赫
pF
评级
民
典型值
最大
--10
--10
500
单位
µA
µA
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
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AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
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