订购数量： ENA0307
2SA2192
三洋半导体
数据表
2SA2192
应用
•
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器。
特点
•
•
•
•
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
PW≤100µs
条件
评级
--50
--50
--50
--8
--10
--13
--2
0.95
20
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基站至Emitterr饱和电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
条件
VCB = -
-40V ， IE = 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-2V ， IC = - 1A
VCE = -
-5V ， IC = - 1A
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
IC = - 5A ， IB = - 250毫安
IC = - 5A ， IB = - 250毫安
200
130
90
--290
--0.93
--580
--1.4
评级
民
典型值
最大
--10
--10
560
兆赫
pF
mV
V
单位
µA
µA
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
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