订购数量： ENN5613
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA1973/2SC5310
DC / DC转换器应用
特点
·采用FBET ， MBIT过程。
·大电流容量。
·低集电极 - 发射极饱和电压。
·高速开关。
·超小型封装有利于小型化到底
产品。
包装尺寸
单位：mm
2018B
[2SA1973/2SC5310]
0.5
0.4
3
0.16
0-0.1
0.5
1
0.95 0.95
2
1.9
2.9
1.5
2.5
1 ：基本
0.8
1.1
特定网络阳离子
（）： 2SA1973
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ×30× 1.6毫米）
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： CP
条件
评级
(–)30
(–)25
(–)6
(–)1
(–)3
(–)200
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
˚C
˚C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
的hFE
VCB = （ - ） 20V ， IE = 0
VEB = （ - ） 3V ， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
135*
条件
评级
民
典型值
最大
(–)0.1
(–)0.1
400*
单位
µA
µA
* ：本2SA1973 / 2SC5310进行分类100毫安ħ
FE
如下：
秩
的hFE
135
5
to
270
200
6
to
400
接下页。
标记： 2SA1973 ： NS
2SC5310 ： NN
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
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60100TS （ KOTO ） TA- 1556 No.5613-1 / 4
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