订购数量： EN2006C
2SA1417 / 2SC3647
三洋半导体
数据表
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA1417 / 2SC3647
特点
•
•
•
高压开关
应用
采用FBET的， MBIT过程。
高耐压和大电流的能力。
超小的尺寸使得它很容易为客户提供高密度的小型混合集成电路。
特定网络阳离子
（）： 2SA1417
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
(-
-)120
(-
-)100
(-
-)6
(-
-)2
(-
-)3
500
1.5
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基站至Emitterr饱和电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ）1A， IB = （ -
-)100mA
IC = （ - ）1A， IB = （ -
-)100mA
100*
120
(25)16
(--0.22)0.13
(--)0.85
(-
-0.6)0.4
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(--)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
单位
nA
nA
接下页。
*
;该2SA1417 / 2S3647被100毫安的hFE为follws分类：
秩
R
S
T
的hFE
100至200
140至280
200至400
标记2SA1417 ： AC
2SC3647 ： CC
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
80906 / 22006EA MS IM / O3103TN （ KT ） / 71598HA （ KT ） / 3277KI / N255MW ， TS No.2006-1 / 5
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
