订购数量： ENA0925
1HN04CH
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
1HN04CH
特点
•
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
✕0.8mm)
条件
评级
100
±20
120
480
0.6
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
⏐
YFS
⏐
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 100V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ， ID = 100μA
VDS = 10V ，ID = 60毫安
ID = 60毫安， VGS = 10V
ID = 30mA时VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
1.2
100
175
6.1
7
19
2.6
1.3
8.0
9.8
评级
民
100
1
±10
2.6
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
mS
Ω
Ω
pF
pF
pF
标记： LB
接下页。
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