注文コード No. N 7 4 8 6
12A02SS
No.
N7486
O2203
新
12A02SS
用途
特長
・電流容量が大きい。
PNP エピタキシャルプレーナ�½�シリコントランジスタ
�½�周波一般増幅用
・�½�周波電力増幅、高速度スイッチング、小型モータのドライブ、ミューティング回路。
・コレクタ��エミッタ�½和電圧
（抵抗）
が�½�い：RCE(sat) typ=285mΩ[IC=1A, IB=50mA]。
・超小型パッケージのためセットの小型化、薄型化が可�½である。
・Ron が小さい。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
コレクタ・ベース電圧
VCBO
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
コレクタ電流 (パルス)
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
ガラスエポキシ基板(20 × 30 × 1.6mm)装着時
unit
V
V
V
A
A
mW
℃
℃
max
− 100
− 100
700
450
6
− 120
− 0.9
− 15
− 12
−5
− 240
− 1.2
unit
nA
nA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
次ページへ続く。
− 15
− 12
−5
− 0.8
− 1.6
200
150
− 55 ∼＋ 150
min
typ
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB= − 12V, IE=0
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
コレクタ・エミッタ�½和電圧
ベース・エミッタ�½和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
単�½�品名表示 : XK
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
VEB= − 4V, IC=0
VCE= − 2V, IC= − 10mA
VCE= − 2V, IC= − 50mA
VCB= − 10V, f=1MHz
IC= − 400mA, IB= − 20mA
IC= − 400mA, IB= − 20mA
300
V(BR)CBO IC= − 10µA, IE=0
V(BR)CEO IC= − 1mA, RBE=∞
V(BR)EBO IE= − 10µA, IC=0
外�½�図 2159A
(unit : mm)
Top View
1.4
0.3
Side View
0.1
0.25
0.07
0.07
本書記載の�½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
（生�½維持装�½�、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れの��る用途）
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動�½�条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて�½�用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
3
0.8
0.3
1.4
1
0.45
0.2
2
Bottom View
Side View
0.6
3
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : SSFP
2
1
〒370-0596 群馬県邑�½郡大泉町坂田一丁目1番1号
O2203 TS IM ◎�½�藤 TA-100605 No.7486-1/3
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
