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STM7064N 参数 Datasheet PDF下载

STM7064N图片预览
型号: STM7064N
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内容描述: N沟道é nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 688 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM7064N  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
C
=25 C unless otherwise noted)  
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
5
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D 250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
30  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS 24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
=
=
G S  
20V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
1
1.6  
6
3
V
G ate Threshold Voltage  
V
V
V
V
V
DS =VG S , I  
= 250uA  
D
m ohm  
m ohm  
7.5  
10  
=
=
G S 10V, I  
G S =4.5V, I  
DS = 10V, VG S = 10V  
D
16A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
8.5  
D
= 12A  
30  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
20  
Forward Transconductance  
=
=
10V, I 8A  
DS  
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
3200  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =15V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
550  
320  
3.2  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
G ate resistance  
R g  
V
G S =0V, VDS = 0V, f=1.0MH  
Z
ohm  
c
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
ns  
32  
V
DD = 15V  
= 1 A  
G S = 10V  
G E N = 6 ohm  
I
D
tr  
R ise Time  
48  
93  
30  
V
R
tD(OFF)  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tf  
ns  
Total G ate C harge  
V
V
DS =15V, I  
D
=16A,VG S =10V  
=16A,VGS =4.5V  
nC  
nC  
Q
g
58.6  
29  
6.5  
12  
DS =15V, I  
D
nC  
nC  
Q
Q
gs  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
V
V
DS =15V, I  
G S =10V  
D
=16A  
gd  
2