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STM4437 参数 Datasheet PDF下载

STM4437图片预览
型号: STM4437
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内容描述: P -Channel增强型MOS场效应管 [P -Channel Enhancement Mode MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 643 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM4437  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
=
Typ C Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D -250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
V
BVDS S  
-30  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS -24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
-1  
=
=
G S  
25V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
-1  
-1.8  
9
-2.5  
13  
V
G ate Threshold Voltage  
V
V
DS =VG S , I  
= -250uA  
D
m-ohm  
=
=
-10A  
G S -20V, I  
D
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
m-ohm  
m-ohm  
10  
15  
14  
24  
V
V
G S = -10V, I  
D
= -10A  
= -10A  
G S = -4.5V, I  
D
On-S tate Drain C urrent  
A
S
I
D(ON)  
30  
V
V
DS = -5V, VG S = -10V  
20  
g FS  
=
DS = -5V, I  
D
-10A  
Forward Transconductance  
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
2963  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS = -15V, VG S = 0V  
C
C
OS S  
R S S  
641  
276  
f =1.0MH  
Z
Output C apacitance  
R everse Transfer C apacitance  
c
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S  
Turn-On Delay Time  
4.9  
8.8  
V
R
DD = -15V  
=1.25ohm  
ns  
ns  
t
D(ON)  
L
tr  
R ise Time  
V
R
G S = -10V  
G E N=6ohm  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
27.1  
15.5  
ns  
ns  
tf  
nC  
Q
g
V
V
DS = -15V, I  
G S = -10V  
D
= -10A,  
Total G ate C harge  
60.5  
8.3  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
nC  
nC  
gd  
13.7  
2