欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N4392 参数 Datasheet PDF下载

2N4392图片预览
型号: 2N4392
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管开关
文件页数/大小: 14 页 / 387 K
品牌: RHOPOINT [ RHOPOINT COMPONENTS ]
 浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N4392的Datasheet PDF文件第9页  
01/99
B-13
2N4391, 2N4392, 2N4393
N沟道硅结型场效应晶体管
¥低导通电阻模拟
开关
¥砍刀
¥换向器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 40 V
50毫安
1.8 W
12毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
门源正向电压
饱和漏电流(脉冲)
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
I
DSS
2N4391
– 40
– 100
– 200
–4
50
– 10
1
150
最大
2N4392
– 40
– 100
– 200
–2
25
–5
1
75
最大
2N4393
– 40
– 100
– 200
– 0.5
5
–3
1
30
100
200
最大
单位
V
pA
nA
V
V
mA
pA
nA
pA
nA
pA
nA
0.4
V
V
V
100
pF
pF
pF
pF
过程NJ132
测试条件
I
G
= - 1μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= - 20V ,我
D
= 1 NA
I
G
= 1毫安, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= – 5V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 5V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 7V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 7V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 12V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 12V
V
GS
= 0V ,我
D
= 3毫安
V
GS
= 0V ,我
D
= 6毫安
V
GS
= 0V ,我
D
= 12毫安
V
GS
= 0V ,我
D
= 1毫安
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
排水截止电流
I
D(关闭)
100
200
100
200
漏源电压ON
静态漏源导通电阻
动态电气特性
漏源导通电阻
共源输入电容
共源反向
传输电容
开关特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
V
DS ( ON)
0.4
r
DS ( ON)
30
0.4
60
r
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
30
14
60
14
3.5
100
14
3.5
V
GS
= 0V ,我
D
= ØA
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= ØV, V
GS
= – 5V
V
DS
= ØV, V
GS
= – 7V
V
DS
= ØV, V
GS
= – 12V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
3.5
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
15
5
20
15
15
5
35
20
15
5
50
30
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 10V, V
GS ( ON)
= ØV
2N4391 2N4392 2N4393
I
D(上)
12
6
–7
3
–5
mA
V
V
GS ( OFF )
– 12
TOÐ18套餐
见G部分的外形尺寸
表面贴装
SMP4391 , SMP4392 , SMP4393
引脚配置
1来源, 2漏, 3门&案例
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com