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     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
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    10-F006PPA010M701-LT23B79

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
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    GRM319R60J106KE19#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    VS58VLNVWM

     VS58VLNVWM是一款用于浪涌保护、电压控制和电压限制的TVS二极管。该产品用更小型的PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。
    二极管电视
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    GCM155R71H223KA55#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GRT0335C1E3R3CA02#

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