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RT550PD 参数 Datasheet PDF下载

RT550PD图片预览
型号: RT550PD
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内容描述: 功率晶体管 [Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 149 K
品牌: RFHIC [ RFHIC ]
 浏览型号RT550PD的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
产品特点
•高输出功率
的P1dB = 40dBm(typ)@2.3GHz
•高效率
•高功率增益
G1dB = 10分贝(典型值) @ 2.3GHz的
- 高线性度
•密封包装
•竞争力的价格
RT550PD
应用
•中继器
• RF子系统
•基站
•转换器
• MMDS
封装类型: WP- 22
描述
该RT550PD是专为基站和小区扩展为300MHz的〜 3GHz的。
绝对最大额定值
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
Pt
TSTG
总胆固醇
等级
+12
-5V~0V
37
-65 ~ +200
175
单位
V
V
W
电气特性(Ta = + 25
)
参数
饱和漏极电流
捏-O FF电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
输出功率@ 1分贝G.C.P
线性功率增益
功率附加效率@ 1分贝
热电阻(通道到外壳)
符号
IDSS
gm
Vp
BVgs
BVgd
P1dB
G
LP
ηadd
RTH
测试条件
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 3600毫安
VDS = 3V ,IDS = 360毫安
5000
典型值
3300
最大
6700
单位
mA
mS
-1.6
-20
-20
-1.9
-3.5
-25
-25
V
V
V
DBM
dB
%
VDS = 9V ,ID = 2.4A
F=2.3GHz
39
40
10
40
4.0
4.5
℃/W
电话: 82-31-250-5011
rfsales@rfhic.com
所有规格如有变更,恕不另行通知。
版本5.2