主动向下
混频器
产品特点
MD2391
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
•集成的单片GaAs混频器模块包
•高可靠性
•降低制造成本
•更高的生产力
•超低噪声指数&低失真
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流145毫安操作而只需要2 ±2 dBm的
在MCM与可靠,成熟的GaAs MESFET技术来实现。
封装类型: HY - 2
LO驱动器。
特定网络阳离子
测试条件: TA = 25 ℃, VDD = 5V ,P
LO
2dBm的, IF = 70MHz时,
RF
部分
频率
数
(兆赫)
(兆赫)
( dB)的
( dBm的)
( dB)的
( dB)的
频率
收益
P1dB
IF
转变
IIP3
NF
产量
(工作温度: -30 ° C〜 + 70 ° C)
LO至IF
泄漏
( dBm的)
RF至IF
泄漏
( dBm的)
VDD / IDD
2200~2350
MD2391
2350~2500
50-200
9
7
17
18
8.5
9
9
7
-18
-18
5V/145mA
工作原理图
PIN号
1或14的
5
9
12
2,3,4,6,7,8,10,11,13
功能
Vdd+5V
在RF
罗在
IF OUT
地
包装尺寸
(型号: HY - 2 )
1
14
1
14
12
5
9
7
8
顶部
SIDE
建议模式
▪
电话: 82-31-250-5011
▪
rfsales@rfhic.com
▪
所有规格如有变更,恕不另行通知。
▪
6.05版