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PMV65XPE

20 V, P-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
1 NEXPERIA

GRM21BB11E563MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM32D5C2J153GWA1#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E4R7WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM21A5C2E331JX01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
2 MURATA

HGTG11N120CND

1200 V NPT IGBT
局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
0 ONSEMI
暂无信息
0 INFINEON

GRM0115C1E1R7BE11#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM21BL81H124MA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335G2A8R9BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IQE013N04LM6SC

英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品, PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V:IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片,该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫与 PCB 连接。因此,它具有几点优势,如热能力增强,先进的功率密度,或具有改善板上布局的可能性。
PC
0 INFINEON

GCQ0335C1H5R2DB01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM21A5C2J680JWA1#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDS89161

双 N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,2.7A,105mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

GRM31M5C1H513JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA